金融界2024年12月19日消息，国家知识信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体设备和用于制造该半导体设备的方法”的，公开号CN 119136537 A，申请日期为2023年12月半导体设备公司 。
摘要显示，本公开涉及半导体设备和用于制造该半导体设备的方法半导体设备公司 。一种半导体设备包括：衬底，其包括核心区域和外围区域；第一导电图案，其包括在核心区域的衬底上方的栅极介电层和栅极电极的堆叠结构，并且包括插入在栅极介电层与栅极电极之间的界面处的高k层；以及第二导电图案，其包括在外围区域的衬底上方的栅极介电层和栅极电极的堆叠结构，并且包括覆盖栅极介电层与栅极电极之间的界面和栅极电极的两个侧壁的高k层。
来源：金融界